I LED entrano nella nanoscala, ma gli ostacoli all'efficienza mettono alla prova i LED più piccoli

I LED su nanoscala rappresentano una delle frontiere più entusiasmanti della fotonica, promettendo display e dispositivi più piccoli di quanto l’occhio umano possa percepire, ma il percorso verso una tecnologia micro-LED praticabile è pieno di sfide fisiche fondamentali che gli ingegneri stanno appena iniziando a risolvere. Mentre i ricercatori spingono i LED verso il regime nanometrico, l’efficienza diminuisce drasticamente, minacciando di minare proprio i vantaggi che rendono le sorgenti luminose miniaturizzate così attraenti.

Cosa sono esattamente i LED su nanoscala e perché sono importanti?

Un LED su scala nanometrica – spesso chiamato micro-LED o nano-LED a seconda delle sue dimensioni – è un diodo emettitore di luce la cui regione attiva misura da poche centinaia di nanometri fino a decine di nanometri di diametro. Su queste scale, le tradizionali tecniche di fabbricazione dei semiconduttori soddisfano i rigidi limiti della meccanica quantistica, della chimica superficiale e dei difetti dei materiali in modi che i LED più grandi semplicemente non incontrano.

L'appello è enorme. I nano-LED potrebbero consentire display ad altissima risoluzione per visori di realtà aumentata e virtuale, strumenti di imaging medico di prossima generazione, interfacce neurali ottiche e interconnessioni ottiche su chip che trasferiscono i dati alla velocità della luce. Rispetto alla tecnologia OLED, i micro-LED promettono luminosità superiore, durata di vita più lunga e consumo energetico inferiore, almeno in teoria. In pratica, farli funzionare in modo efficiente su scala nanometrica si sta rivelando uno dei problemi più difficili nella moderna ingegneria dei semiconduttori.

Cosa causa il calo di efficienza dei LED più piccoli finora?

La sfida principale che i LED su scala nanometrica devono affrontare è un fenomeno che i ricercatori chiamano “calo dell’efficienza”: una caduta precipitosa dell’efficienza quantistica esterna (EQE) man mano che le dimensioni del dispositivo si riducono. Diversi meccanismi di combinazione determinano questo effetto:

Perdite per ricombinazione superficiale: poiché il rapporto area superficiale/volume aumenta notevolmente su scala nanometrica, i portatori di carica (elettroni e lacune) hanno molte più probabilità di raggiungere la superficie del dispositivo e ricombinarsi in modo non radiativo, generando calore anziché luce.

Danni alle pareti laterali dovuti all'incisione: i processi di incisione al plasma utilizzati per modellare minuscole mesa LED introducono difetti cristallini e legami chimici penzolanti lungo le pareti laterali, creando ulteriori centri di ricombinazione non radiativi che privano il dispositivo di efficienza.

Ricombinazione Auger a densità di portatori elevate: quando si inietta la stessa densità di corrente in un volume attivo molto più piccolo, le concentrazioni di portatori locali salgono alle stelle, innescando la ricombinazione Auger, un processo a tre corpi che spreca energia sotto forma di calore anziché di fotoni.

Scarsa diffusione della corrente: su scala nanometrica, la corrente iniettata tende ad affollarsi vicino ai contatti anziché distribuirsi uniformemente nella regione attiva, creando punti caldi che accelerano il degrado e riducono l’uniformità.

Difficoltà di estrazione dei fotoni: gli effetti di confinamento quantico alterano la direzionalità dell’emissione e la lunghezza d’onda, rendendo più difficile l’estrazione efficiente dei fotoni dai piccoli volumi del dispositivo.

"La fisica che rende efficienti i LED di grandi dimensioni in realtà funziona contro di te su scala nanometrica. Ogni dimensione che riduci espone più superficie e le superfici sono dove la luce muore. Risolvere la passivazione superficiale a livello nanometrico è la chiave che sblocca il resto della tecnologia." — Ricercatore leader nel campo della fotonica, simposio Nature Photonics, 2024

Come stanno affrontando i ricercatori il problema della passivazione superficiale?

La passivazione superficiale – il trattamento chimico delle superfici esposte dei semiconduttori per neutralizzare gli stati di difetto – è diventata l’obiettivo di ricerca dominante nell’ingegneria dei nano-LED. I team del MIT, KAIST e IMEC hanno sperimentato la deposizione di strati atomici (ALD) di pellicole di ossido di allumina e afnio per rivestire le pareti laterali e sopprimere la ricombinazione non radiativa. I risultati sono stati promettenti ma incoerenti, con una qualità di passivazione altamente sensibile alla chimica dei precursori e alla temperatura di deposizione.

Un approccio parallelo utilizza strati attivi di punti quantici (QD) anziché i tradizionali pozzi quantici. Beca

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